“对了。”

在见证了聚合物半固态电池和硫化物固态电池的强悍，曲程也想到了自己此行的目的。

陈星、秦龙、凌川的目光都被吸引，齐刷刷看向曲程。

“芯片设计领域，我还有几道难题想请教高首席，不知总裁，芯片实验室现在在几楼？”

秦龙眼神微亮。

他也想见见这位神人。

在与曲程、刘东升、王海等院士交谈时，他们都会时不时提及高正谦，并且评价高度统一，这是非常可怕的事情。

一个人说你牛，那可能只是逢场作戏的虚伪。

可要是一群人说你牛，那基本毋庸置疑，你肯定是牛逼哄哄的。

只有手机联动汽车，才能进一步布局“衣食住行”，并实现5G高速网络的万物互联，实现心中规划的商业版图。

“高首席别来无恙。”

高正谦有些意外，伸出手。

他不是别人，正是龙兴科技的芯片首席高正谦。

但可以肯定的是，能够融入这个圈子的都不简单。

“明白。”

陈星并没有带门禁卡。

不一会。

高正谦打了声招呼，目光又看向曲程道：“曲老你回来了？”

他停在“设计实验室”门前。

现在陈星的想法很简单，就是想要尽早完成汽车领域的建设，争取手机、汽车双开花。

秦龙和曲程客套点头。

“明白。”

陈星则是充当中间人，为高正谦和秦龙介绍道：“这位是龙科院的院长秦龙。”

“叮——”

“麻烦了。”

电梯门打开。

凌川点了点头。

忽然，他又注意到，还有一位其貌不扬的老者，不过由于没接触过，不知道具体什么身份。

话音落下。

陈星没有急着移动脚步，而是将目光看向凌川道：“两款电池包都表现不错，但测试力度可以持续加大，我需要知道极限数据。”

“打扰了。”

秦龙和曲程也表示理解，因为两人是突然提的要求，没来得及准备也很正常。

“久闻高首席大名，想不到居然这么年轻。”秦龙与其握手的同时，上下打量。

他继续带路。

“秦院长。”

曲程也算龙兴科技的一员，是特聘的荣誉教授，陈星也没有理由去拒绝，淡然一笑道：“芯片实验室在十楼，反正我也没什么事情，一起上去看看吧。”

电话接通，高正谦略显磁性，偏沉稳的声音从手机传出：“喂总裁，找我什么事？”

“这位是我们龙兴科技芯片团队的首席工程师，高正谦。”陈星继续为他们搭桥。

“我打个电话。”

叮嘱完凌川，陈星目光看向秦龙和曲程，做了个请的手势道：“两位这边请。”

不一会。

“行。”

简单交谈，电话随之挂断。

一位身高一米七八左右，头发浓密，戴了副银框眼镜，气质儒雅的中年男人刷开了门禁。

三人离开电池能源楼层，直奔十楼的芯片设计楼层。

“总裁。”

由于没有事先打招呼，电梯走廊并没有人接待，不过对于自家实验大楼的布局，陈星已经铭记于心，继续往前面带路。

曲程露出抹笑容回应。

本来上次谈粒子加速器，秦龙就想见见高正谦了，但陈星突然去了锡城，他们只能改道，错过了见面的机会，现在有机会，自然想一睹风采。

“我在你们实验室外面，忘记带门禁卡了。”

他以为曲程、刘东升口中的高首席应该是上了年纪的学者，没想到单从样貌来看，估计才四十岁不到，这就有点不可思议了。

搞学术和科研没有捷径，都是需要年纪去累积的。

这就好比谈拢医术高超，德高望重的名医，要是没有说年龄和相貌，那基本都是会默认是高龄医者，仙风道骨的模样，这就是行业的刻板印象。

“客气了。”

两人简单认识过后，高正谦目光看向一侧的陈星，略微不解道：“总裁这次过来，是查看华夏芯片的研发进度吗？”

华夏芯片？？？

曲程和秦龙内心咯噔一声。

敢定这個名字，难不成就是陈星一直提的3纳米芯片？

如果真是3纳米芯片就可怕了，要知道现在主流的芯片纳米制程都在14纳米，最先进的苹果A10仿生芯片也才7纳米，3纳米完全就是划时代的产物。

而且根据联合国芯片组织预测，下一代制程应该是5纳米，并且认为这就是半导体的极限。

给出发依据很简单，那就是4纳米以下可能会出现量子隧穿效应，导致芯片电路运行混乱。

因此世界各大芯片研究组织认为，5纳米就是硅片材料极限，如果想要再进一步，那就必须要找到新的半导体材料去替代。

所以陈星喊出3纳米芯片时，很多业内人士都只是当笑话听，包括曲程和秦龙。

可现在他们发现，陈星没有开玩笑，好像是要玩真的，这让曲程和秦龙心头一紧。

“嗯。”

陈星没有否认，回应道：“我们来看看研发进度，另外曲老说有几个问题想要和你探讨。”

“原来如此。”高正谦恍然大悟般点了点头，让出个身位道：“那各位里面请吧。”

“打扰了。”

“多有打扰。”

曲程和秦龙依旧客客气气。

几人走进实验室，映入眼帘的就是各类设计算机，科研人员正各司其职的工作着。

“这边请。”

高正谦继续带路。

四人穿过数个工位，来到了高正谦的研发工位，这里的计算机都处于工作状态，屏幕内容也都是电路的设计图。

做为业内人士，曲程看着EDA软件参数的7纳米标识，有些不解道：“这是在设计7纳米芯片吗？”

“不是3纳米？”

秦龙目光看向陈星。

陈星同样愣了愣，不解地看向高正谦道：“新的芯片项目？”

不应该啊！

不是设计3纳米芯片吗？

这怎么回事？

面对疑问，高正谦淡然一笑，回应道：“此7纳米非彼7纳米，而是采取了多重堆叠技术，让芯片性能翻倍的尝试，严格来说的话，它是性能直逼3纳米芯片的7纳米芯片。”

“？？？”

“？？？”

在场的秦龙、曲程都懵了。

7纳米直逼3纳米芯片性能？

这怎么可能！

简直闻所未闻，听都没听说过！

但忽然，曲程想到了什么，连忙询问道：“难道这就是突破量子隧穿效应，制造出更高性能芯片的办法？”

芯片纳米制程为什么推进慢？

原因就出自“量子隧穿”上，必须先解决它，才能造出新一代的纳米制程芯片。

那什么是量子隧穿效应？

众所周知，芯片的算力是由无数个0和1组成。

在电流通过芯片内部的晶体管，它就会给出0和1的反馈，形成基础的算力。

想要算力强劲，那芯片内部的晶体管数量自然要越多越好。

在指甲盖大小的有限面积，晶体管越多越好，这只能是把晶体管相隔的栅极做小，这也是所谓的纳米等级。

可问题来了。

栅极越小，晶体管就越近，电流是有相互吸引性的，这就可能会导致电流汇聚。

具体什么意思？

这就好比说，两股电流通过电路，本该是要产生0和1两个计算单元，结果因为晶体管栅极相隔实在太近，电流出现了交汇融合，导致只触发了0这个计算单元，1的晶体管没有电流触发，就会导致芯片算力出现混乱。

如果不解决这个问题，那就无法提升芯片纳米等级。

而世界公认的最小纳米，是5纳米，要是再往下，就会发生严重的量子遂穿效应。

……

高正谦看了眼曲程，淡淡笑道：“是的，纯3纳米制程芯片，这可不是现阶段能够设计的，还需要更高性能的EDA软件配合。”

“那就是说，我们其实在设计7纳米制程芯片？”陈星询问。

出于对高正谦的信任，他并没有过多干涉芯片研发，只知道要弄3纳米芯片。

可他万万没想到，此3纳米非彼3纳米，它拥有3纳米的性能，却是7纳米的制程。

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